化学气相沉积

然后沉积成纳米厚的薄膜层
更新时间:2019-10-23 18:39 浏览:68 关闭窗口 打印此页

  化学气相沉积与物理气相沉积最根本的区别是在沉积前是否发生了化学反应。化学气相沉积,沉积原料并不是基片上沉积的物质,必须通过化学反应再在基片上沉积。而物理气相沉积,并不需要发生化学反应,其只是通过各种方法(如加热蒸发,溅射等等),将源材料气化,然后沉积于基片表面成膜,沉积前后的物质都是一样的!

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  至于物理气相沉积,是指在真空条件下,通过一定方法加热靶材使其蒸发或溅射,使这些携带能量的蒸气粒子沉积到基体或零件的表面凝聚成膜。这属于物理反应,

  化学气相沉积顾名思义,气态物质在固体表面上发生化学反应生成固态产物并在固体上沉积。eg.利用H2还原TaCl5粉末沉积Ta薄膜,简单来说,其反应:TaCl5+H2→Ta+HCl ↑高温使得TaCl5粉末挥发为气态,在反应温度下气态TaCl5与H2发生反应生成Ta沉积在基体表面,生成的HCl气体被抽出沉积室

  英文上CVD和PVD的区别 常见PVD有分子束外延,电子束蒸度,磁控溅射等等,最根本的就是沉积的时间是否发生了化学变化,如果生产新的物质自然是CVD。一般CVD是通过热的或者等离子的外力,使分子裂解成碎片气源,然后在基地上发生化学反应,沉积到基地上。而PVD就简单了,就是通过RF,EB,等等把基地靶材打出分子,原子,然后沉积到基地物质上,是个简单的物理过程。如常见的磁控溅射吧,就是通过射频等离子打到靶材上,然后沉积成纳米厚的薄膜层。个人愚见,仅供参考

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